中镓半导体

- 公司成立
　　东莞市中镓半导体科技有限公司成立于2009年1月，总部设于广东东莞，总注册资本为1.3亿元人民币，总部设立厂房办公区等共17000多平方米，并在北京设立面积达1000平方米的大型研发中心，为中国国内首家专业生产氮化镓（GaN）衬底材料的企业。
　　- 人才队伍
　　企业以北京大学宽禁带半导体研究中心为技术依托，引进国内外优秀的技术及管理团队， 2010年获建博士后工作站，截至2019年有院士1人，教授级别人员共 1人，博士9人，硕士27人，拥有先进的技术及管理优势。
　　- 公司资质和荣誉
　　2009年成立北大中镓半导体研究中心；同年被广东省人民政府批准的首批创新科研团队；成为广东省现代产业500强项目；被广东省科学技术厅评为“国际科技合作基地”。
　　2011年被全国高科技质量监督广东委员会评为“广东省科技创新质量管理先进单位”；同年被广东省科学技术厅评为“广东省民营科技企业”、被广东省经济和信息化委员会评为“广东省战略性新兴产业骨干企业”。
　　2015年10月，公司被科学技术部认定为“国家国际科技合作基地”。入选《广东经济》理事学会理事单位、东莞市电子元件协会常务副会长单位、东莞电子信息产业数码产业协会常务副会长单位、东莞市半导体行业副会长单位、CSA国家半导体照明工程研发及产业联盟成员单位等。
　　2017年11月，公司荣获全国半导体设备和材料标准化技术委员会2017年度“突出贡献奖”。
　　2018年11月，中镓半导体科技有限公司的6英寸硅基氮化镓功率器件外延片被认定为“广东省高新技术产品”。
　　- 主营业务与专利技术
　　公司创造性采用MOCVD技术、HVPE技术相结合的方法，研发、生产产品包括：氮化镓（GaN）半导体衬底材料，GaN单晶衬底及氢化物气相外延设备（HVPE）等，激光器、功率器件、射频器件。
　　- 公司发展与规划
　　公司已建成国内首家专业的氮化镓（GaN）衬底材料生产线，制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底，并能够稳定生产。
　　相关产品技术达到国际先进乃至国际领先水平，形成世界一流的国内最大型的衬底材料及半导体设备的生产基地。公司拟以衬底核心技术为基础，全面进入氮化物半导体技术的研发和生产，实现完整的产业链的垂直整合结构发展，打造国际一流的大型半导体材料科研生产基地，逐步推进形成达百亿产值的半导体产业集群。